PSMN057-200B
Symbol Micros:
TPSMN057-200b
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 200V; 20V; 165mOhm; 39A; 250W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 165mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 39A |
| Maksymalna tracona moc: | 250W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 200V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PSMN057-200B RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,6300 | 6,8500 | 6,1900 | 5,8600 | 5,7500 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PSMN057-200B,118
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 800+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,7500 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PSMN057-200P,127
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
4200 szt.
| ilość szt. | 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4956 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 165mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 39A |
| Maksymalna tracona moc: | 250W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |