PUMD12,115 NXP
Symbol Micros:
TPUMD12
Obudowa: SC-88
Tranzystor NPN/PNP; 80; 300mW; 50V; 100mA; 230/180MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 80 |
| Obudowa: | SC-88 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PUMD12,115 RoHS
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6990 | 0,3310 | 0,1850 | 0,1400 | 0,1270 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD12,115
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnętrzny:
120000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1270 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD12,115
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnętrzny:
45000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1270 |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 80 |
| Obudowa: | SC-88 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |