PUMD2
Symbol Micros:
TPUMD2
Obudowa: SOT363
Tranzystor NPN/PNP; 60; 300mW; 50V; 100mA; 230/180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PUMD2,115; PUMD2,125; PUMD2,165; PUMD2.115
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD2,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0815 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD2,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0815 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD2,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
2286000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0800 |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |