PUMD3,115 NXP
Symbol Micros:
TPUMD3
Obudowa: SC-88
Tranzystor NPN/PNP; 30; 300mW; 50V; 100mA; 230/180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PUMD3,135; PUMD3,125; PUMD3,165; PUMD3.115;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
Producent: | NXP |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
Obudowa: | SC-88 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PUMD3,115 RoHS
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,6330 | 0,3000 | 0,1690 | 0,1280 | 0,1150 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD3,125
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1150 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD3,115
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnętrzny:
148980 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1150 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD3,135
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnętrzny:
40000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1150 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
Producent: | NXP |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
Obudowa: | SC-88 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN/PNP |