PUMD30 NEXPERIA
Symbol Micros:
TPUMD30
Obudowa: SOT363
Tranzystor NPN/PNP; 30; 300mW; 50V; 100mA; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PUMD30,115;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: NXP
Symbol producenta: PUMD30,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9030 | 0,4940 | 0,3240 | 0,2800 | 0,2580 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD30,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2580 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD30,115
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2580 |
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |