PUMD6 NXP
Symbol Micros:
TPUMD6
Obudowa: SC-88
Tranzystor NPN/PNP; 200; 300mW; 50V; 100mA; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PUMD6,115; PUMD6,125; PUMD6,135; PUMD16.115;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SC-88 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: NXP
Symbol producenta: PUMD6.115 RoHS
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6990 | 0,3300 | 0,1830 | 0,1470 | 0,1270 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD6,115
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1270 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD6,135
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1270 |
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SC-88 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |