PZT751T1G
Symbol Micros:
TPZT751
Obudowa: SOT223
Tranzystor PNP; 75; 800mW; 60V; 2A; 75MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 800mW |
| Częstotliwość graniczna: | 75MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 75 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 2A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: PZT751T1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9200 | 1,0600 | 0,8390 | 0,7910 | 0,7660 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: PZT751T1G
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7660 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: PZT751T1G
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7660 |
| Moc strat: | 800mW |
| Częstotliwość graniczna: | 75MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 75 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 2A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |