RD06HVF1

Symbol Micros: TRD06hvf1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 50V; 20V; 3A; 27,8W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC1970;
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 27,8W
Obudowa: TO220
Producent: Mitsubishi Electric
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: Mitsubishi Symbol producenta: RD06HVF1-501 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
71 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 100+
cena netto (PLN) 27,7700 23,5700 21,0000 19,2900 18,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/300
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 27,8W
Obudowa: TO220
Producent: Mitsubishi Electric
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Montaż: THT