RFP12N10L
Symbol Micros:
TRFP12N10l
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 100V; 10V; 200mOhm; 12A; 60W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 60W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: RFP12N10L RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
160 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4500 | 2,1900 | 1,7200 | 1,5700 | 1,5000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 60W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |