RFP50N06
Symbol Micros:
TRFP50N06
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 131W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 131W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: RFP50N06 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
102 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,6500 | 5,6700 | 4,7200 | 4,6100 | 4,5000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: RFP50N06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
750 szt.
| ilość szt. | 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: RFP50N06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1010 szt.
| ilość szt. | 800+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 131W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |