RFP70N06
Symbol Micros:
TRFP70N06
Obudowa: TO220
N-MOSFET 70A 60V 150W 0.014Ω RFP70N06
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 14mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: RFP70N06 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,9900 | 7,5400 | 6,7000 | 6,1800 | 5,9900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: RFP70N06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,9900 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: RFP70N06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
12300 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 14mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |