S8050 SOT23-3 BORN

Symbol Micros: TS8050 BORN
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300mW; 25V; 500mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: BORN
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: BORN Symbol producenta: S8050 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
590 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,4080 0,1620 0,0953 0,0702 0,0628
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: BORN
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN