S8550 China

Symbol Micros: TS8550 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300mW; 25V; 500mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP
Producent: import Symbol producenta: S8550 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1930 0,0722 0,0386 0,0288 0,0266
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP