S8550 China
Symbol Micros:
TS8550 c
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300mW; 25V; 500mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; MOSLEADER S8550-ML; KST8550S;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |
Producent: import
Symbol producenta: S8550 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
2900 szt.
ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,1930 | 0,0722 | 0,0386 | 0,0288 | 0,0266 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |