S9013 (J3)

Symbol Micros: TS9013 MDD
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; S9013-L-YAN; S9013-H-YAN; MOSLEADER S9013-ML;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: MDD
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Producent: MDD(Microdiode Electronics) Symbol producenta: S9013 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2210 0,0827 0,0443 0,0331 0,0305
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: MDD
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN