SI1022R-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI1022r
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 330mA; 250mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 330mA |
| Maksymalna tracona moc: | 250mW |
| Obudowa: | SC75-3 (SOT416) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI1022R-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9500 | 1,0800 | 0,8530 | 0,8050 | 0,7790 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI1022R-T1-GE3
Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7790 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI1022R-T1-GE3
Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416)
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7790 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 330mA |
| Maksymalna tracona moc: | 250mW |
| Obudowa: | SC75-3 (SOT416) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |