SI2301 SOT23 HOTTECH
Symbol Micros:
TSI2301 c
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | HOTTECH |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | HOTTECH |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |