SL2301 SLKOR
Symbol Micros:
TSI2301 SLK
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 142mOhm; 2,8A; 0,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 142mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | SLKOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 142mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | SLKOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
SI2301BDS
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3;
Producent:
Vishay
Symbol producenta:
SI2301BDS-T1-E3 RoHS L1..
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
25 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 650+ |
| cena netto (PLN) | 1,3400 | 0,8550 | 0,5970 | 0,5170 | 0,4890 |
Sposób pakowania: 650
Ilość (wielokrotność 1)
SI2301CDS SOT23 VISHAY
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3;
Pozycja dostępna na zamówienie