SI2305 SOT23-3 HOTTECH

Symbol Micros: TSI2305 HOT
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 250mOhm; 3,2A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 250mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,2A
Maksymalna tracona moc: 1,38W
Obudowa: SOT23-3
Producent: HOTTECH
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: HOTTECH Symbol producenta: SI2305 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
7090 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8910 0,4230 0,2380 0,1810 0,1620
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 250mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,2A
Maksymalna tracona moc: 1,38W
Obudowa: SOT23-3
Producent: HOTTECH
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD