SI2305B-TP
Symbol Micros:
TSI2305b-tp MCC
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305B-TP-HF; SI2305B-13P;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | MCC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: SI2305B-TP RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0800 | 0,5980 | 0,3980 | 0,3320 | 0,3090 |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: SI2305B-TP
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
1914000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3090 |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: SI2305B-TP
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
2172000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3090 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | MCC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |