SI2305CDS Vishay
Symbol Micros:
TSI2305cds
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 8V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: KUU
Symbol producenta: SI2305CDS-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
300 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0500 | 0,5250 | 0,3130 | 0,2590 | 0,2330 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2305CDS-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5068 |
Producent: -
Symbol producenta: SI2305CDS-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4118 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 8V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |