SI2309CDS-T1-GE3
Symbol Micros:
TSI2309cds
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2309CDS-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1490 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7300 | 1,1400 | 0,8170 | 0,7000 | 0,6660 |
Producent: -
Symbol producenta: SI2309CDS-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
213000 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6660 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2309CDS-T1-E3
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6660 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2309CDS-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
117000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6660 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |