SI2312CDS-T1-GE3 Vishay
Symbol Micros:
TSI2312cds
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 41mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 41mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2312CDS-TI-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
74 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3700 | 1,5000 | 1,1800 | 1,0800 | 1,0300 |
Producent: -
Symbol producenta: SI2312CDS-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0300 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2312CDS-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
159000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0300 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2312CDS-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 41mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |