SI2333-TP
Symbol Micros:
TSI2333
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 6A; 28mOhm; 0,35W; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 6A |
Maksymalna tracona moc: | 350mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | Micro Comercial Components Corp. |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 12V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: SI2333-TP
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
1629000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2280 |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: SI2333-TP RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,0300 | 0,5200 | 0,3150 | 0,2500 | 0,2280 |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: SI2333-TP
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
360000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3182 |
Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 6A |
Maksymalna tracona moc: | 350mW |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | Micro Comercial Components Corp. |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 12V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |