SI2337DS-T1-GE3
Symbol Micros:
TSI2337ds
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 80V; 20V; 303mOhm; 2,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2337DS-T1-E3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 303mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2337DS-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8400 | 2,4100 | 2,0000 | 1,7800 | 1,6700 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2337DS-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6700 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI2337DS-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
11470 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 303mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |