SI4178DY-T1-GE3 Vishay
Symbol Micros:
TSI4178dy
Obudowa: SOIC08
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 25V; 33mOhm; 12A; 5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 33mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI4178DY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: SOIC08t/r
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3200 | 1,2900 | 1,0200 | 0,9580 | 0,9280 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI4178DY-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOIC08
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9280 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI4178DY-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOIC08
Magazyn zewnętrzny:
1650 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9280 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 33mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |