SI4425BDY-T1-E3
Symbol Micros:
TSI4425bdy
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 8,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI4425BDY-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
8 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1800 | 3,0700 | 2,4600 | 2,1100 | 1,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |