SI4435DDY

Symbol Micros: TSI4435ddy
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11,4A
Maksymalna tracona moc: 5W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,3700 1,4900 1,2300 1,1000 1,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Vishay Symbol producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0718
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11,4A
Maksymalna tracona moc: 5W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD