SI4459ADY
Symbol Micros:
TSI4459ady
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 29A |
| Maksymalna tracona moc: | 7,8W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,6100 | 3,9200 | 3,2200 | 3,0000 | 2,9500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI4459ADY-T1-GE3
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,9500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 29A |
| Maksymalna tracona moc: | 7,8W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |