SI4459ADY

Symbol Micros: TSI4459ady
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 29A
Maksymalna tracona moc: 7,8W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 5,6800 3,9700 3,2700 3,0400 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Rezystancja otwartego kanału: 7,7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 29A
Maksymalna tracona moc: 7,8W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD