SI4946BEY
Symbol Micros:
TSI4946bey
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SI4946BEY-T1-GE3; SI4946BEY-T1-E3; SI4946BEY-E3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 52mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,7W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI4946BEY-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,0600 | 5,2300 | 4,5800 | 4,2500 | 4,1500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 52mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,7W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |