SI5618A-TP
Symbol Micros:
TSI5618A-TP
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 1,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 240mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,2W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | MCC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: SI5618A-TP RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3400 | 0,7140 | 0,5530 | 0,5110 | 0,4890 |
Producent: Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta: SI5618A-TP
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4890 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 240mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,2W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | MCC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |