SI6968BEDQ

Symbol Micros: TSI6968bedq
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TSSOP08 t/r
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 5,2A; 1W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 30mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,2A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: TSSOP08 t/r
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: SI6968BEDQ RoHS Obudowa dokładna: TSSOP08 t/r  
Stan magazynowy:
64 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,4700 2,1800 1,8100 1,6100 1,5100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Vishay Symbol producenta: SI6968BEDQ-T1-E3 Obudowa dokładna: TSSOP08 t/r  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7922
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 30mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,2A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: TSSOP08 t/r
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD