SI6968BEDQ
Symbol Micros:
TSI6968bedq
Obudowa: TSSOP08 t/r
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 5,2A; 1W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | TSSOP08 t/r |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI6968BEDQ RoHS
Obudowa dokładna: TSSOP08 t/r
Stan magazynowy:
64 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4700 | 2,1800 | 1,8100 | 1,6100 | 1,5100 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI6968BEDQ-T1-E3
Obudowa dokładna: TSSOP08 t/r
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7922 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | TSSOP08 t/r |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |