SI7469DP-T1-E3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7469dp
Obudowa: PPAK-SO8
Tranzystor P-Channel MOSFET; 80V; 20V; 29mOhm; 10,2A; 5,2W; -55°C ~ 150°C; SI7469DP-T1-GE3
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 29mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 5,2W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7469DP-T1-GE3
Obudowa dokładna: PPAK-SO8
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5067 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7469DP-T1-E3
Obudowa dokładna: PPAK-SO8
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5067 |
Producent: -
Symbol producenta: SI7469DP-T1-E3
Obudowa dokładna: PPAK-SO8
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1440 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 29mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 5,2W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |