SI7615ADN-T1-GE3
Symbol Micros:
TSI7615adn
Obudowa: PPAK1212
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 22,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 52W |
| Obudowa: | PPAK1212 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI7615ADN-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: PPAK1212
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3400 | 2,1100 | 1,6700 | 1,5200 | 1,4500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7615ADN-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: PPAK1212
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3400 | 2,1100 | 1,6700 | 1,5200 | 1,4500 |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI7615ADN-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: PPAK1212
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3400 | 2,1100 | 1,6700 | 1,5200 | 1,4500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI7615ADN-T1-GE3
Obudowa dokładna: PPAK1212
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 22,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 52W |
| Obudowa: | PPAK1212 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |