SI9407BDY
Symbol Micros:
TSI9407bdy
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 4,7A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5200 | 2,2100 | 1,8300 | 1,6300 | 1,5300 |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
3 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5200 | 2,2100 | 1,8300 | 1,6300 | 1,5300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |