SI9926BDY
Symbol Micros:
TSI9926bdy
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,14W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI9926BDY-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8300 | 1,7900 | 1,4100 | 1,2900 | 1,2300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 30mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,14W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |