SPA11N80C3
Symbol Micros:
TSPA11n80c3
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 1,05Ohm; 11A; 34W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPA11N80C3XKSA1; SPA11N80C3XKSA2;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,05Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 34W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA11N80C3XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 18,5800 | 15,7300 | 14,0100 | 12,9000 | 12,4700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA11N80C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
3450 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 12,4700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA11N80C3XKSA2
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
492 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 12,4700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA11N80C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
482 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 12,4700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,05Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 34W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |