SPB17N80C3
Symbol Micros:
TSPB17n80c3
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPB17N80C3ATMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 670mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 227W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPB17N80C3 RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 13,7800 | 11,8500 | 11,0900 | 10,6900 | 10,6000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPB17N80C3ATMA1
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
70000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,6000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPB17N80C3ATMA1
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,6000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 670mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 227W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |