SPB20N60S5
Symbol Micros:
TSPB20n60s5
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 20A 600V 208W 0.19Ω SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5/SN
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 208W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Siemens |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPB20N60S5ATMA1
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,3199 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 208W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Siemens |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |