SPD07N60C3
Symbol Micros:
TSPD07n60c3
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 1,46Ohm; 7,3A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD07N60C3ATMA1; SPD07N60C3BTMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,46Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 83W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPD07N60C3 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,2400 | 3,6700 | 3,1200 | 2,8500 | 2,7600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPD07N60C3ATMA1
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,46Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 83W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |