SPD09P06PL G

Symbol Micros: TSPD09p06pl
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD09P06PLGBTMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,7A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
12 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,7A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta