SPP04N80C3
Symbol Micros:
TSPP04n80c3
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP04N80C3XKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 63W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP04N80C3XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,6800 | 4,3400 | 3,5900 | 3,1500 | 2,9900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP04N80C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2993 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 63W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |