SPP06N80C3
Symbol Micros:
TSPP06N80C3
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP06N80C3XKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 83W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP06N80C3 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4300 | 5,1300 | 4,3900 | 3,9400 | 3,7800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP06N80C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
87303 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP06N80C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
198 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,2053 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 83W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |