SPP11N80C3XKSA1
Symbol Micros:
TSPP11n80c3
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 1,05Ohm; 11A; 156W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,05Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 11A |
Maksymalna tracona moc: | 156W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,05Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 11A |
Maksymalna tracona moc: | 156W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |