SPP18P06P
Symbol Micros:
TSPP18p06p
Obudowa: TO220
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,7A; 81,1W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPP18P06PH; SPP18P06PHXKSA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 130mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 18,7A |
Maksymalna tracona moc: | 81,1W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP18P06PHXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,9700 | 2,9100 | 2,3400 | 2,0000 | 1,8900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP18P06PHXKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
256 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,6413 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP18P06PHXKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,1715 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP18P06PHXKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2497 szt.
ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,2143 |
Rezystancja otwartego kanału: | 130mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 18,7A |
Maksymalna tracona moc: | 81,1W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |