SPP20N60C3
Symbol Micros:
TSPP20n60c3
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 430mOhm; 20,7A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP20N60C3XKSA1; SPP20N60C3HKSA1; SPP20N60C3/SN;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 430mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 208W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP20N60C3 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,6200 | 9,5700 | 8,5200 | 8,3900 | 8,3000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP20N60C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
932 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,3000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP20N60C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
295550 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,3000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 430mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 208W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |