SS8050 SOT23

Symbol Micros: TSS8050 MDD
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; KST8550; MOSLEADER SS8050-ML;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: MDD
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Producent: MDD(Microdiode Electronics) Symbol producenta: SS8050 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2310 0,0863 0,0462 0,0345 0,0318
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: MDD
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN