SS8550

Name: TSS8550 c
Brand: FUXINSEMI
SKU: 599
Price: 0.045500 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TSS8550 c

Obudowa: SOT23

rys. techniczny Dodaj do ulubionych

Transistor PNP; Bipolar; 350mW; -25V; 1500mA; 120MHz; -55°C ~ 150°C;

Parametry

Moc strat:	350mW
Częstotliwość graniczna:	120MHz
Producent:	HOTTECH
Obudowa:	SOT23
Maksymalny prąd kolektora:	1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	-25V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C

Producent: POWERSILION Symbol producenta: SS8550 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

1152 szt.

ilość szt.	10+	50+	400+	3000+	12000+
cena netto (PLN)	0,3190	0,1230	0,0599	0,0476	0,0455

Dodaj do porównywarki

Sposób pakowania:
1152 Ilość (wielokrotność: 10)

Producent: FUXINSEMI Symbol producenta: SS8550 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

901 szt.

ilość szt.	10+	50+	400+	3000+	12000+
cena netto (PLN)	0,3190	0,1230	0,0599	0,0476	0,0455

Dodaj do porównywarki

Sposób pakowania:
901 Ilość (wielokrotność: 10)

Producent: FUXINSEMI Symbol producenta: SS8550 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

599 szt.

ilość szt.	10+	50+	400+	3000+	12000+
cena netto (PLN)	0,3190	0,1230	0,0599	0,0476	0,0455

Dodaj do porównywarki

Sposób pakowania:
599 Ilość (wielokrotność: 10)

Producent: HOTTECH Symbol producenta: SS8550 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

3000 szt.

ilość szt.	10+	50+	400+	3000+	12000+
cena netto (PLN)	0,3190	0,1230	0,0599	0,0476	0,0455

Dodaj do porównywarki

Sposób pakowania:
3000 Ilość (wielokrotność: 10)

Moc strat:	350mW
Częstotliwość graniczna:	120MHz
Producent:	HOTTECH
Obudowa:	SOT23
Maksymalny prąd kolektora:	1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	-25V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Typ tranzystora:	PNP