Tranzystor bipolarny SS8550 WEJ 

Symbol Micros: TSS8550 WEJ
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 400; 300mW; 25V; 1,5A; 100MHz SOT23; WEJ;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: WEJ
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Producent: WEJ Symbol producenta: SS8550 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
15000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3280 0,1260 0,0616 0,0490 0,0468
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: WEJ
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP