SSM6N815R
Symbol Micros:
TSSM6n815r
Obudowa: TSOP06
Tranzystor MOSFET N-CH; 1,8W; 100V; 2A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SSM6N815R,LF(T; SSM6N815R,LF;
Parametry
| Moc strat: | 1,8W |
| Producent: | TOSHIBA |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 2A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: SSM6N815R RoHS
Obudowa dokładna: TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8600 | 2,8400 | 2,2700 | 1,9500 | 1,8400 |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: SSM6N815R,LF(T
Obudowa dokładna: TSOP06
Magazyn zewnętrzny:
33000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8400 |
| Moc strat: | 1,8W |
| Producent: | TOSHIBA |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 2A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |