STB11N65M5 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTB11N65M5
Obudowa: D2PAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 710V; +/-25V; 480mOhm; 9A; 85W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 480mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 85W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 710V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STB11N65M5
Obudowa dokładna: D2PAK
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8434 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB11N65M5
Obudowa dokładna: D2PAK
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9851 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 480mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 85W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 710V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |